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氮化铝陶瓷的应用

发布日期:2021-01-05 点击次数:430219

氮化铝陶瓷的应用

1.AlN作为基片材料

大多数陶瓷是离子键或共价键极强的材料,具有优异的综合性能,是电子封装中常用的基片材料,具有较高的绝缘性能和优异的高频特性,同时线膨胀系数与电子元器件非常相近,化学性能非常稳定且热导率高。1985~1988年期间兴起了氮化铝在微电子包封材料方面的应用。原来长期绝大多数大功率混合集成电路的基板材料一直沿用氧化铝和氧化铍陶瓷,但氧化铝基本的热导率低,热膨胀系数和硅不太匹配;氧化铍虽然具有优良的综合性能,但其较高的生产成本和剧毒的缺点限制了它的应用推广。因此,从性能、成本和环保等因素考虑,二者已不能完全满足现代电子功率器件发展的需要氮化铝陶瓷却可以弥补它们的不足

2.AlN作为电子膜材料

电子薄膜材料是微电子技术和光电子技术的基础,因而对各种新型电子薄膜材料的研究成为众多科研工作者关注的热点。氮化铝于19世纪60年代被人们发现可作为电子薄膜材料,并具有广泛的应用。近年来,以ⅢA族氮化物为代表的宽禁带半导体材料和电子器件发展迅猛,被称为继以Si为代表的第一代半导体和以GaAs为代表的第二代半导体之后的第三代半导体。AlN作为典型性的ⅢA族氮化物得到了越来越多国内外科研人员的重视。

3.AlN作为坩埚或耐火材料的涂层

氮化铝所具有的耐腐蚀性能,可被熔融铝浸润但不能与之反应,包括铜、锂、铀、铁在内的化合物合金以及一些超耐热合金;并且氮化铝对碳酸盐、低共熔混合物、氯化物、冰晶石等许多熔盐稳定。因此可以被制成坩埚或耐火材料的涂层。

氮化铝可用作真空蒸发和熔炼金属的容器,特别适于真空蒸发Al的坩埚,AlN在真空中加热虽然蒸气压低,但即使分解,也不会污染铝。AlN也可以作热电偶保护套,在空气中800~1000℃铝池中连续浸泡3000h以上也没有侵蚀破坏。在半导体工业中,用AlN坩埚代替石英坩埚合成砷化镓,可以完全消除Si对砷化镓的污染而得到高纯产品。

氮化铝陶瓷材料的多种优异性能决定了其多方面应用,作为压电薄膜,已经被广泛应用;作为电子器件和集成电路的封装、介质隔离和卷圆材料,有着重要的应用前景;作为蓝光、紫外发光材料也是目前的研究热点;作为高聚物材料,可用来固定模具、制作胶黏剂、热润滑脂和散热垫……经过市场的进一步拓展开发,氮化铝陶瓷材料的应用范围将会越来越广。